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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Confronto
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,855.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,168.0
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,855.7
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
680
2490
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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