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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

Punteggio complessivo
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Punteggio complessivo
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 59
    Intorno -90% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.0 left arrow 1,855.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,168.0 left arrow 11.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,855.7 left arrow 10.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    680 left arrow 2605

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Memoria RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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