RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Confronto
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
59
64
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,855.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
64
Velocità di lettura, GB/s
4,168.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,855.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
680
2052
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link