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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Punteggio complessivo
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 19.1
    Valore medio nei test
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 59
    Intorno -111% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 1,855.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 5300
    Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,168.0 left arrow 19.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,855.7 left arrow 16.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    680 left arrow 3562

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Confronto tra le RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Memoria RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Memoria RAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Memoria RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Memoria RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Memoria RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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