RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2181
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link