RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.8
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2128
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link