RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
17
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
17.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2703
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link