RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2372
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link