RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2931
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link