RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
74
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
74
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
1779
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link