RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
12.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2989
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link