RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2926
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link