RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
17.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3110
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link