RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
35
Velocità di lettura, GB/s
10.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2607
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link