RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
10.5
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2841
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link