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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
30
Velocità di lettura, GB/s
10.5
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3773
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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