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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Motivi da considerare
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
29
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
20
Velocità di lettura, GB/s
10.5
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3410
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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