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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
34
Velocità di lettura, GB/s
10.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2468
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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