RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
10.5
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2933
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link