RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
34
Velocità di lettura, GB/s
10.5
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3075
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link