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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.8
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
10.5
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2349
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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