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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
26
Velocità di lettura, GB/s
13.6
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
3825
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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