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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
50
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
50
Velocità di lettura, GB/s
13.6
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2326
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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