Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Punteggio complessivo
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 40
    Intorno -25% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.6 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.6 left arrow 18.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.3 left arrow 15.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2035 left arrow 3851
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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