RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
53
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
53
Velocità di lettura, GB/s
13.6
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2333
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link