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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
34
Velocità di lettura, GB/s
13.6
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2504
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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