RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.9
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
1886
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link