RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
39
Velocità di lettura, GB/s
12.9
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3825
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link