RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2725
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link