RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
89
Intorno 69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
89
Velocità di lettura, GB/s
12.9
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
1518
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link