RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
41
Velocità di lettura, GB/s
12.9
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2686
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link