RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2719
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link