RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3302
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link