RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2675
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link