RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.9
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
1860
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link