RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2900
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link