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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
39
Velocità di lettura, GB/s
12.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2680
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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