RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.9
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2371
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link