RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
46
Velocità di lettura, GB/s
12.9
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2571
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link