RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3296
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link