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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
36
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2696
2664
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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