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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
14900
Intorno 1.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
23400
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2696
3093
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
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