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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
43
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1647
2914
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. 16GB
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