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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno 2% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
44
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1647
1977
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
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