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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
58
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,107.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
29
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2513
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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