RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
58
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,107.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
32
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2524
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link