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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
58
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,107.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
45
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2414
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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