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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Confronto
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17500
Intorno 1.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
31
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17500
19200
Other
Descrizione
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2319
2888
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston K821PJ-MID 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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