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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Confronto
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17500
17000
Intorno 1.03% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
52
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
29
Velocità di lettura, GB/s
10.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17500
17000
Other
Descrizione
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2319
3638
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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