RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
51
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
19
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3665
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link